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固體電子學研究與進展(2024年06期)
Research & Progress of SSE
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- 基本信息
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：南京電子器件研究所(中電科技集團公司第55所)
：雙月
：1000-3819
- 出版信息
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： 信息科技
： 無線電電子學
：4488篇
- 評價信息
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：0.393
：0.237
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目 錄
- 碳基射頻電子器件研究進展
- 碳納米管單片三維集成電路
- 碳納米管場效應(yīng)晶體管的制備技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)
- 金剛石SBD及RF-DC電路應(yīng)用研究
- 不同沉積溫度Al2O3柵介質(zhì)金剛石MOSFET器件研究
- 多晶金剛石散熱片制備工藝研究
- GaN器件金剛石近結(jié)集成熱管理技術(shù)研究進展
- 化學氣相沉積合成純單層石墨烯的技術(shù)綜述
- 石墨烯光電集成技術(shù)研究進展
- 基于系統(tǒng)級封裝技術(shù)的小型化乒乓式跳頻源的研制
- 一種低電流失配的鑒頻鑒相器與電荷泵設(shè)計
- 磁場和溫度對有限深拋物量子阱中極化子性質(zhì)的影響
- 單手性半導體碳納米管的分離及其在電子學中的應(yīng)用研究進展
- 應(yīng)變補償BGaN/AlGaN超晶格深紫外LED空穴濃度
- “碳基電子器件及應(yīng)用”專欄前言
- 《固體電子學研究與進展》2024年（第44卷)第1～6期總目次
- 130萬像素數(shù)字化微光EBAPS器件及組件
