硅酸鉍閃爍晶體及其摻雜改性

摘要： 硅酸鉍(Bi_4Si_3O_(12),BSO)晶體是一種具有閃鉍礦結(jié)構(gòu)的氧化物閃爍材料,其衰減時(shí)間快于鍺酸鉍(BGO)晶體,光輸出高于鎢酸鉛(PWO)晶體,被認(rèn)為是雙讀出量能器最佳的候選材料之一。綜述了硅酸鉍晶體在相關(guān)系、晶體生長(zhǎng)、閃爍性能、摻雜改性等方面的研究進(jìn)展,比較了不同生長(zhǎng)方法的優(yōu)缺點(diǎn),總結(jié)了稀土摻雜對(duì)硅酸鉍晶體性能以及結(jié)晶習(xí)性的影響。研究發(fā)現(xiàn):少量Dy~(3+)摻雜能顯著提高硅酸鉍晶體的光輸出,其發(fā)光機(jī)理可能與Dy3+的占位有關(guān),高濃度摻雜因?yàn)橐敫?jìng)爭(zhēng)性的發(fā)光中心而導(dǎo)致光輸出下降。此外,摻雜硅酸鉍晶體在熒光發(fā)光和激光等領(lǐng)域有潛在應(yīng)用。 （共10頁(yè)）