硅酸鋯薄膜制備的研究

摘要： 以正硅酸乙酯和氧氯化鋯為硅源和鋯源,去離子水為溶劑,采用溶膠-凝膠法在單晶硅表面制備了硅酸鋯薄膜。利用pH計(jì)、zeta電位儀、SEM、XRD、AFM等測試手段研究了pH值、前驅(qū)體濃度對(duì)制備硅酸鋯薄膜的影響,并研究了其抗四甲基氫氧化銨(TMAH)/異丙醇(IPA)腐蝕性能。結(jié)果表明:優(yōu)化的pH值為0.5,對(duì)應(yīng)溶膠的zeta電位最大,為43.8m V,所制備的薄膜質(zhì)量最優(yōu);zeta電位隨pH值的增加而減小,溶膠的穩(wěn)定性和薄膜的質(zhì)量也變差。當(dāng)前驅(qū)體濃度小于0.6mol/L時(shí),薄膜表面粗糙;當(dāng)前驅(qū)體濃度大于0.6 mol/L時(shí),薄膜表面出現(xiàn)了裂紋,且樣品出現(xiàn)雜相。最優(yōu)前驅(qū)體濃度為0.6mol/L,制得的硅酸鋯薄膜可有效保護(hù)單晶硅片免受TMAH/IPA的腐蝕。 （共8頁）