4H碳化硅單晶中的位錯(cuò)

摘要： 4H碳化硅(4H-SiC)單晶具有禁帶寬度大、載流子遷移率高、熱導(dǎo)率高和穩(wěn)定性良好等優(yōu)異特性，在高功率電力電子、射頻/微波電子和量子信息等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，6英寸(1英寸u003d2.54 cm)4H-SiC單晶襯底和同質(zhì)外延薄膜已得到了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。然而，4H-SiC單晶中的總位錯(cuò)密度仍高達(dá)10~3～10~4 cm^-2,阻礙了4H-SiC單晶潛力的充分發(fā)揮。... （共18頁(yè)）