4H(6H)-SiC表面重構(gòu)的STM/STS研究

摘要： 半導(dǎo)體碳化硅由于具有寬的帶隙，高的導(dǎo)熱系數(shù)以及大的電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，使其成為一種在高溫、高頻、大功率電子器件中具有應(yīng)用前景的材料。碳化硅器件的性能受表面和界面質(zhì)量的影響。在高溫條件下退火碳化硅表面的重構(gòu)，形貌也會(huì)發(fā)生變化，導(dǎo)致與金屬或其他材料接觸的表面結(jié)構(gòu)不同。因此，碳化硅器件會(huì)受到表面重構(gòu)和形貌的影響。掃描隧道顯微鏡/掃描隧道譜(STM/STS)是一種可以在實(shí)空間獲得表面重構(gòu)... （共11頁(yè)）