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高溫溶液法生長(zhǎng)4H–SiC單晶的助溶劑研究進(jìn)展

硅酸鹽學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 17 2024-06-26
摘要： 碳化硅(Si C)作為第三代半導(dǎo)體材料，不僅在化學(xué)性能上相對(duì)穩(wěn)定，而且具有一系列突出的物理性能優(yōu)勢(shì)，如器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大及熱導(dǎo)率高等，是目前相對(duì)成熟且應(yīng)用最廣的寬禁帶材料。為滿足Si C在新能源汽車、太陽(yáng)能光伏及風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用需求，高質(zhì)量、大尺寸、低成本的Si C單晶生長(zhǎng)工藝仍是未來研究重點(diǎn)。其中，高溫溶液生長(zhǎng)法(HTSG)獲得的Si C單晶具有... （共17頁(yè)）

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