摘要： 電離層臨界頻率f_0F₂參數(shù)是重要的電離層參數(shù)之一,開展f_0F₂參數(shù)預(yù)測(cè)具有重要的研究意義和應(yīng)用價(jià)值.提出了一種融合f_0F₂參數(shù)變化特性的深度學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)方法,采用雙向長(zhǎng)短時(shí)記憶神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(BiLSTM)和電離層參數(shù)相似特征相結(jié)合的模型實(shí)現(xiàn)電離層臨界頻率f_0F₂參數(shù)提前24 h預(yù)測(cè).結(jié)果表明,BiLSTM結(jié)合電離層參數(shù)相似特征模型預(yù)測(cè)f_0F₂參數(shù)的平均相對(duì)誤差在8%... （共9頁(yè)）