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B添加對MoSi2基化合物抗氧化性能影響的第一性原理研究

摘要： 基于第一性原理計(jì)算方法探討了B添加對化合物偶MoSi2/MoB氧化行為的影響。結(jié)果表明，初始氧化階段MoSi2/MoB兩化合物界面處和MoB相具有較低的氧的吸附能、氧通過MoSi2/MoB兩化合物界面的擴(kuò)散激活能較低，導(dǎo)致化合物表面更容易發(fā)生快速氧化，有利于保護(hù)性氧化膜的快速形成；當(dāng)氧化過程達(dá)到穩(wěn)定階段時(shí)，化合物表面含有6%B (原子分?jǐn)?shù))的硼硅酸鹽具有最低的氧擴(kuò)散系數(shù)，... （共7頁）

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