摘要： 氮化鋁(AlN)是一種性能優(yōu)異的陶瓷材料，在微電子、電子元件、高頻寬帶通信以及功率半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，然而AlN薄膜的一些特性具有顯著的各向異性。因此，調(diào)控AlN薄膜的擇優(yōu)取向一直備受科研工作者的關(guān)注。文章利用中頻反應(yīng)磁控濺射在玻璃基片上制備AlN薄膜，研究了氮分壓、濺射功率以及基片溫度對(duì)AlN薄膜特性的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，適合制備擇優(yōu)取向AlN薄膜的條件是低氣壓和200℃... （共9頁(yè)）