性爱网在线免费观看视频_亚洲日韩精品久久久久一区_国产三级久久三级久久_国产在线高清在线精品

當前位置:首頁 > 科技文檔 > 無線電電子學 > 正文

一種高增益縱向PNP晶體管器件設計

微電子學 頁數(shù): 4 2024-08-20
摘要: 兼顧縱向PNP晶體管高電流增益和高擊穿特性,設計了一種基于絕緣體上硅(SOI)全介質隔離的P外延互補雙極工藝,通過優(yōu)化縱向PNP晶體管的基區(qū)摻雜濃度和有效基區(qū)寬度,獲得一種高電流增益的縱向PNP晶體管,器件增益β≥500,耐壓大于等于30 V。 (共4頁)

開通會員,享受整站包年服務