摘要： 介紹了關于IGBT的注入增強原理，以及使用Sentaurus TCAD軟件對不同Mesa寬度以及不同溝槽柵長度的器件進行了仿真優(yōu)化。根據仿真結果以及第三代FS Trench設計平臺，設計了一款650 V MPT-IGBT(Micro-Pattern Trench IGBT)。根據流片樣品的測試結果表明，相比于傳統(tǒng)的元胞節(jié)距(pitch)為4.5μm IGBT,本文的器件可以在降... （共6頁）