摘要： 本文基于0.45μm氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）工藝，設(shè)計了一款可在48V電壓下應(yīng)用的高線性氮化鎵功率放大器。為提升功放功率回退下的線性度，基于負(fù)載牽引方法分析了漏極偏置電壓對功放線性度的影響，揭示了高漏極電壓和不同阻抗匹配下非線性特性，發(fā)現(xiàn)了48V漏壓下氮化鎵功放比28V漏壓下具有線性度優(yōu)勢。測試結(jié)果驗(yàn)證表明，在2.3GHz～2.7GHz范圍內(nèi)，功放飽和輸出功率大于4... （共4頁）