摘要： 硅通孔是一種實(shí)現(xiàn)三維封裝的關(guān)鍵技術(shù)，由于獨(dú)特的垂直互連方式受到了廣泛關(guān)注。然而，硅通孔工藝較為復(fù)雜，出現(xiàn)缺陷幾率增大，而這些缺陷不易被檢測，進(jìn)而影響了封裝性能與可靠性。因此，提出一種基于動態(tài)激勵的內(nèi)部檢測方法，通過對封裝芯片施加動態(tài)熱激勵，激發(fā)內(nèi)部缺陷產(chǎn)生異常溫度分布，采集封裝外表面溫度分布時間序列圖像，利用深度學(xué)習(xí)進(jìn)行識別分類，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部缺陷的外部診斷。首先構(gòu)建三維封裝模型進(jìn)行... （共8頁）