摘要： 硅衍射微透鏡陣列通常被用來與紅外焦平面集成，從而提高器件性能。在常規(guī)套刻法用于制備硅衍射微透鏡陣列時，光刻誤差是很難避免的，這對器件性能及后續(xù)應(yīng)用產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。針對此問題，本文提出一種高精度硅衍射微透鏡陣列制備的新穎自對準(zhǔn)方法。該方法中硅衍射微透鏡陣列的制備精度只由第一次掩膜光刻的精度決定。在后續(xù)的刻蝕中，采用掩膜層和犧牲層或保護(hù)層將已刻蝕區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，對未保護(hù)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，... （共6頁）