摘要： 目前直線型中性束注入器中的核心部件強流離子源無法長時間運行在強中子輻射區(qū)。面對未來聚變堆的需求，提出了偏轉(zhuǎn)型中性束的概念。利用互相垂直的兩線圈的橫向磁場改變離子束傳輸路徑方向，使偏轉(zhuǎn)束注入通道在縱向上偏離離子源，從而緩解了離子源區(qū)域的輻射問題。通過分析不同形狀和角度的磁偏轉(zhuǎn)線圈對束偏轉(zhuǎn)角度和聚散性的影響，確定了滿足需求的亥姆霍茲線圈結(jié)構(gòu)。綜合平行四邊形線圈和梯形線圈磁場分布使束... （共8頁）