摘要： 氮化鎵器件憑借優(yōu)異的性能在抗輻照應用領域備受關注，為探究不同結構的氮化鎵器件抗質(zhì)子輻照能力，開展了對增強型Cascode級聯(lián)結構和P-GaN柵結構GaN高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）器件的5 MeV質(zhì)子輻照試驗，分析器件電學特性退化規(guī)律，并明確其質(zhì)子輻照效應損傷機制。試驗發(fā)現(xiàn)，質(zhì)子輻照注量越大，Cascode結... （共8頁）