摘要： 為研究柵氧化物在不同老化程度下電子輻照對(duì)SiC MOSFET可靠性的影響，結(jié)合高溫柵偏和電子輻照2種實(shí)驗(yàn)對(duì)SiC MOSFET電學(xué)特性進(jìn)行分析，討論柵氧化物受到高溫和強(qiáng)電場(chǎng)應(yīng)力后電子輻照對(duì)SiC MOSFET閾值電壓的影響。為避免封裝材料在高溫和電子輻照下對(duì)閾值電壓產(chǎn)生影響，實(shí)驗(yàn)時(shí)將被測(cè)器件裸露于空氣中。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，高溫正柵偏后器件閾值電壓對(duì)電子輻照更加敏感，因此提出了電子輻... （共7頁(yè)）