鉭晶圓CMP拋光液成分與加工工藝參數(shù)的研究與優(yōu)化
摘要: 目的 通過電化學(xué)實(shí)驗(yàn)確定化學(xué)機(jī)械拋光液成分,并以此進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)驗(yàn),通過響應(yīng)面法確定最佳工藝參數(shù)方案。方法 通過電化學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定甘氨酸和過硫酸鈉、過氧化氫2種氧化劑的最佳組合與配比,以此配制拋光液進(jìn)行不同機(jī)械參數(shù)的CMP實(shí)驗(yàn),選擇拋光壓力、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光液流3種工藝參數(shù),取值分別為6.5~9.5 kg、30~90 r/min、45~105 mL/min,利用響應(yīng)面實(shí)驗(yàn)法... (共11頁)
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