摘要： 柵極可靠性一直是SiC MOSFET芯片所面臨的重要問題,主要體現(xiàn)在高溫柵偏所導(dǎo)致的閾值電壓退化。如何提升SiC MOSFET芯片的閾值電壓穩(wěn)定性,需要展開系統(tǒng)而深入研究。從柵氧氮化和后道工藝出發(fā),研究了氮化退火過程對柵氧界面態(tài)密度(D_(it))、溝道電子遷移率(μ)與柵極負(fù)柵壓可靠性的影響機理。通過μ與負(fù)偏壓溫度應(yīng)力(NBTS)導(dǎo)致的轉(zhuǎn)移特性漂移量(ΔU_(th))的折中關(guān)... （共6頁）