摘要： 隨著顯示器件對導(dǎo)電薄膜的要求越來越高，高致密度、高電導(dǎo)率的IGZO靶材得以迅速發(fā)展。本文采用一種合Ga₂O₃的新方法電解法，以純Ga金屬片為陽極，以石墨棒為陰極，以NH₄Cl水溶液為電解液，成功合成了平均粒徑約為580 nm的片層繭狀GaOOH納米顆粒。該納米顆粒分別在500和800℃下煅燒3 h,獲得α-Ga₂O₃和β-Ga₂O₃納米粉體，并以該β-Ga₂O_... （共7頁）