InAs(001)吸附表面的不可逆重構(gòu)相變研究

摘要： 對(duì)吸附了大量As的InAs(001)樣品進(jìn)行升降溫?zé)崽幚?發(fā)現(xiàn)在485℃時(shí)表面有從(3×1)重構(gòu)到(2×4)重構(gòu)的不可逆轉(zhuǎn)變現(xiàn)象。利用掃描隧道顯微鏡對(duì)(3×1)重構(gòu)表面分析,結(jié)果表明大量常溫吸附的As從表面脫附使InAs(001)(2×4)重構(gòu)表面最頂層的As dimer也一起脫離表面,(3×1)重構(gòu)表面實(shí)際上是由20%的富As(2×4)重構(gòu)區(qū)域與80%的富In(4×2)重構(gòu)區(qū)域組成。不可逆相變是由于As束流提供的As4原子團(tuán)吸附到富In區(qū)域,使樣品表面恢復(fù)到(2×4)重構(gòu)相,而(2×4)重構(gòu)相能在390~490℃溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定存在。 （共4頁(yè)）