Sence-Switch型pFLASH單元制備及特性

摘要： 基于0.13μm eFLASH工藝技術,成功制備了Sence-Switch型pFLASH單元,并對其性能進行了研究。該單元由兩個共享浮柵和控制柵的編程/擦除管(T_1)和信號傳輸管(T_2)組成,采用帶帶遂穿(BTBT)編程方式和福勒-諾德海姆(FN)遂穿擦除方式實現(xiàn)了其"開/關"態(tài)功能,并對其"開/關"態(tài)特性進行表征,同時,研究了其耐久性和電荷保持特性。實驗結(jié)果表明,該單元具有較優(yōu)的"開/關"態(tài)特性和電參數(shù)一致性,T_1/T_2管閾值窗口的均值、均一性分別約為9.2 V和2.4%;在工作電壓為-1.5 V條件下,T_2管"關"態(tài)的漏電流均在1 p A/μm以下,T_2管"開"態(tài)的驅(qū)動電流均值為116.22μA/μm,均一性為5.61%;該單元循環(huán)擦/寫次數(shù)可達10 000次。同時,在25℃的"開/關"態(tài)應力條件下,該Sence-Switch型pFLASH單元壽命大于10年。 （共7頁）