摘要： CMOS尺寸的大幅縮小引發(fā)電路可靠性問題。該文介紹了兩種高可靠的基于設(shè)計(jì)的抗輻射加固(RHBD)10T和12T抗輻射加固技術(shù)(SRAM)單元，它們可以防護(hù)單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)(SNU)和雙節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)(DNU)。10T單元主要由兩個交叉耦合的輸入分離反相器組成，該單元可以通過其內(nèi)部節(jié)點(diǎn)之間的反饋機(jī)制穩(wěn)定地保持存儲的值。由于僅使用少量晶體管，因此其在面積和功耗方面開銷也較低?；?0T單元，提... （共9頁）