摘要： 由平行陣列碳納米管（Aligned carbon nanotubes, ACNTs）材料構(gòu)建的場效應(yīng)晶體管因其超高的載流子遷移率、尺寸縮減潛力、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary-metal-oxide-semiconductor, CMOS）的可實(shí)現(xiàn)性以及晶圓級制備的可能性，成為后摩爾時(shí)代高性能、低功耗場效應(yīng)晶體管的強(qiáng)力候選者。本文綜述了碳納米管場效應(yīng)晶體管的制... （共16頁）