摘要： 采用原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)技術(shù),在(001)晶面的單晶金剛石襯底上制備了不同沉積溫度Al₂O₃柵介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET器件。在200℃下沉積Al₂O₃柵介質(zhì)的器件的飽和電流密度為291 mA/mm,當(dāng)沉積溫度升高至300℃時,器件的飽和電流密度大幅度提高至504 mA/mm,提高了73%。同時,升高沉積溫度后,器件還... （共5頁）